MeV级^3He离子注入相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

MeV级^3He离子注入相关论文

1．55MeV^3He离子辐照单晶Si引起的损伤效应研究

室温下使用1.55 MeV、5×1013-5×1016/cm2注量的3He离子注入单晶Si,采用透射电子显微镜(TEM)观测分析了高温退火后单晶Si......

期刊

单晶Si MeV级^3He离子注入气泡团簇空腔透射电镜 Crystalline silicon MeV level He implantation B

看过本文同时还关注